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微波開關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)
1.3 微波開關(guān)
微波開關(guān)從結(jié)構(gòu)上可以分為雙端口開關(guān)和三端口開關(guān), 三端口開關(guān)可以由雙端口開關(guān)組合而成, 雙端口開關(guān)主要指單刀單擲開關(guān)(SPST) , 如圖 1-1(a) 所示, 三端口開關(guān)主要指單刀雙擲開關(guān)(SPDT) , 如圖 1-1(b) 所示, 對于單刀多擲開關(guān)(SPMT, M>2) , 其本質(zhì)上也屬于三端口開關(guān), 因?yàn)樗鼈冊谌魏我环N工作模式下, 等效電路的端口都可以歸結(jié)為發(fā)射端口、 接收端口和隔離端口。 開關(guān)自發(fā)射端口發(fā)射信號(hào), 在接收端口接收信號(hào), 隔離端口不希望接收到任何信號(hào), 通過切換工作模式, 其端口定義發(fā)生改變, 從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)工作狀態(tài)的變化。 雙端口開關(guān)的接收端口和隔離端口相重合, 當(dāng)重合的端口依開關(guān)工作狀態(tài)而定義為接收端口時(shí), 發(fā)射端口到隔離端口支路自動(dòng)開路, 不用考慮這個(gè)支路上的信號(hào)損耗和泄露。 因此雙端口開關(guān)的設(shè)計(jì)相較于三端口開關(guān)要簡單得多, 而且也基于這個(gè)原因, 雖然任意的三端口開關(guān)都可以拆解為兩個(gè)雙端口開關(guān), 但并不是所有的雙端口開關(guān)都可以組合成三端口開關(guān)。 開關(guān)電路特性的好或壞主要可以從插入損耗、隔離度和功率處理能力等方面衡量。
1.4 硅基金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET) 是一種廣泛用于集成電路設(shè)計(jì)與制造的場效應(yīng)晶體管。 MOSFET 在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬(多晶硅) -氧化層-半導(dǎo)體襯底的電容為核心, 通過改變這個(gè)電容的電壓控制反型層的寬度, 從而控制流過溝道的電流大小。 MOSFET 工藝越先進(jìn), 意味著其溝道長度越小, 溝道電阻越小, 同時(shí)也意味著柵極、 源極和漏級(jí)面積減少, 從而可以降低等效的柵極電容和寄生電容。 另外, 更小的柵長也使 MOSFET 的單位電流增益截止頻率(f t ) 更高, 從而所允許的工作頻率也更高。 但是, 柵長越小的 MOSFET 柵氧化層會(huì)越薄, 從而柵極擊穿電壓會(huì)減小。 而且, 短溝道效應(yīng)會(huì)更加嚴(yán)重, 這進(jìn)一步惡化 MOSFET 的穩(wěn)定性和可靠性。
推薦產(chǎn)品一、麗芯微電0.1 to 40GHz, LXA4882 SP8T開關(guān),射頻開關(guān)
頻率 : 0.1 – 40 GHz
損耗: 1.5 dB
隔離度 : 40 dBm
控制電壓 : 控制電壓 :±5 V
推薦產(chǎn)品二、麗芯微電DC to 18GHz, LXA4105 SPST開關(guān),射頻開關(guān)
頻率 : DC – 18 GHz
損耗: 1.2 dB
隔離度 : 60 dBm
控制電壓 : 控制電壓 :0/-5 V
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