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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究

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高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑨

電壓轉(zhuǎn)換器在電子信息系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用， 相較于電感式電壓轉(zhuǎn)換器， 基于電荷泵的電壓轉(zhuǎn)換器雖然輸出電壓精度有待提高， 但具有電磁干擾小、 體積小、 容易集成等特點(diǎn)。 目前， 開關(guān)電容電荷泵電壓轉(zhuǎn)換器常見的有倍增輸入電壓和反向輸入電壓兩種模式。 本文充分融合兩種模型， 改進(jìn)開關(guān)陣列及其控制方法， 在同一個(gè)電路中同時(shí)實(shí)現(xiàn)正/負(fù)兩路輸出電壓， 正輸出電壓為輸入電壓的翻倍、 負(fù)輸出電壓為正輸出電壓的反向。這種改進(jìn)的開關(guān)電容電荷泵電壓轉(zhuǎn)換器可應(yīng)用于需要雙電源供電的電路， 簡化電路的電源結(jié)構(gòu)， 應(yīng)用價(jià)值明顯。

基于 Dickson 經(jīng)典電荷泵結(jié)構(gòu)， 匹配四路晶體管開關(guān)實(shí)現(xiàn)正/負(fù)兩路輸出電壓， 增加四路二極管開關(guān)， 在降低開關(guān)器件導(dǎo)通電壓的同時(shí)簡化了開關(guān)電路。 設(shè)計(jì)并仿真優(yōu)化了帶正/負(fù)兩路輸出的開關(guān)電容電荷泵電壓轉(zhuǎn)換器芯片電路。 仿真結(jié)果表明： 電壓輸入范圍為 4V~11V、 輸出電壓范圍為±7V~±18V、 靜態(tài)電流小于 12.5mA、 輸出電壓紋波在 100mV 以下、 負(fù)載電流可達(dá) 20mA， 外接開關(guān)電容的容值范圍為 1μf~100μf。基于所選擇的工藝設(shè)計(jì)了芯片版圖， 完成了版圖的 DRC、 LVS 驗(yàn)證， 并開展了版圖后仿真分析， 版圖后仿真結(jié)果與前仿真相比差異不大， 均滿足預(yù)期指標(biāo)要求。 開展了流片試驗(yàn)， 測試結(jié)果表明， 所設(shè)計(jì)的芯片實(shí)現(xiàn)了正輸出電壓為輸入電壓的倍增、 負(fù)輸出電壓為正輸出電壓的反向的功能， 芯片電路的設(shè)計(jì)得到驗(yàn)證。 電源電壓為 4V 和 5V 時(shí)空載及帶負(fù)載測試均達(dá)標(biāo)， 電源電壓為 11V 時(shí)的空載也達(dá)標(biāo)， 但在電源電壓為 9V 和 10V且正負(fù)輸出兩端同時(shí)帶 10mA 負(fù)載時(shí)， 負(fù)輸出電壓低于目標(biāo)值， 此外 10V 條件下負(fù)輸出端帶15mA負(fù)載時(shí)輸出電壓也不達(dá)標(biāo)。深入分析了導(dǎo)致芯片測試結(jié)果不達(dá)標(biāo)的主要原因，通過測試和版圖后仿真雙重驗(yàn)證， 還原出了振蕩器電路中幾個(gè)關(guān)鍵支路上蛇形基區(qū)電阻拐角方塊偏差導(dǎo)致振蕩器兩路輸出信號(hào)的占空比發(fā)生改變， 從而造成外接電容的充電和放電時(shí)間不一致， 最終導(dǎo)致輸出電壓偏離目標(biāo)值。 改進(jìn)方案是： 修改關(guān)鍵支路上的蛇形基區(qū)電阻的拐角， 在拐角處增加基區(qū)和金屬的接觸孔， 消除拐角的影響， 調(diào)整電路版圖的寬和長， 確保阻值不變。 已完成芯片版圖的改版， 并進(jìn)行再次流片實(shí)驗(yàn)。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電4700pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-60-25V-472
容值/容差：4700pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.524*1.524*0.150 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電47pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-20-100V-470
容值/容差：47pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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