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導(dǎo)讀：很多朋友不知道高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標(biāo)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答高電容密度硅基MIS芯片電容的原理及指標(biāo)

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高電容密度硅基MIS芯片電容④

在 室溫 下對 電容 器進(jìn) 行  、，測 試 ，如 圖 6 所 示 。電容器 在擊 穿前 其 漏 電 流 曲 線 相 當(dāng) 平 滑 ，漏 電流 小于 5 nA 。 電 容器 約 在 70 V 時(shí)達(dá) 到 擊 穿 ，漏 電流 快速 上升 ，顯示 了 良好 的 擊穿特性 ，從 側(cè) 面也 印證 了 電容介質(zhì) 層 良好 的耐壓 特性 。分 別選 取 了 l O只 芯 片 尺 寸 和介 質(zhì) 層 結(jié) 構(gòu) 均 相 同 的3I)_M IS 電容與 平 面 M IS 電容 進(jìn)行 室溫 下 電容 值 的測 試 ，結(jié)果 見 圖 7 。 平 面結(jié) 構(gòu) 的 M IS 電容 的 電 容值約 為 20 pF ，而 3D 結(jié) 構(gòu) 的 M IS 電 容 由 于 深 孔 結(jié) 構(gòu)極 大地 提 升 了 有效 電極 面積 ，在 耐壓 7O V 下 其 電容值 達(dá)到 了 l 000 pF ．電 容 密 度 高 達(dá) 20 nF ／mm。 ，是平 面結(jié) 構(gòu) M IS 電容 的 5O倍 。圖 7  3D-M IS 電 容 與平 面 M IS 電容 的 電 容值 對 比 曲 線對 3D—M IS 電容 和 常 見 的 X 7R 陶 瓷 電 容進(jìn) 行了 溫度 系數(shù) 的測 試 ，結(jié) 果 如 圖 8 所 示 。 X 7R 陶瓷 電容在 125℃ 下 其 電 容 變 化 率 約 為 14 9／6，而 3D—M IS電容在 一55～ 15O~C 范 圍 內(nèi) 電容 變化 率 不 超 過 1％ ，體 現(xiàn) 了 良好 的溫度 穩(wěn)定 性 。與 國 外 IP DIA 公 司 的 W BS C 電容性 能 對 比結(jié)果 如表 1 所示 。 在 電容密 度 和溫度 系 數(shù)均保 持 一致的情 況 下 ，擊 穿 電 壓相 比 W BSC 電 容 提 升 了 20 V 。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電100pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-30-100V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電100pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-30-100V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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